[发明专利]旋转预混气的MOCVD上下盘匀气组件有效
申请号: | 201610596826.8 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN106011792B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 梁勇;曾一平;王军喜;段瑞飞;李晋闽;李辉 | 申请(专利权)人: | 北京中科优唯科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本专利公开了一种在匀气盘内预先混气的匀气组件,包括:第一混气空腔,所述混气空腔中具有圆形截面的第一混气空间,所述第一混气空间中设置有第一喷嘴和第二喷嘴组;所述第一喷嘴沿着所述圆形的直径向内和向外两个方向喷射第一气体;所述第二喷嘴组包括多个沿着所述圆形半径设置的第二喷嘴,所述第二喷嘴沿着垂直于所述半径的方向喷射第二气体,形成旋转气流;第二混气空腔,一腔壁上设置有入口与所述第一混气空腔连通;另一腔壁上设置有出口与匀气组件外部连通;以及冷却层。通过采用上述技术方案,能够提高MOCVD反应气体混合的均匀程度,并且利用冷却层隔离所述匀气组件和周围环境,避免了混合气体在所述匀气组件中的预反应。 | ||
搜索关键词: | 旋转 预混气 mocvd 下盘 组件 | ||
【主权项】:
1.一种旋转预混气匀气组件,其特征在于,包括:第一混气空腔,所述混气空腔中具有圆形截面的第一混气空间,所述第一混气空间中设置有第一喷嘴和第二喷嘴组;所述第一喷嘴沿着所述圆形的半径向内和向外两个方向喷射第一气体;所述第二喷嘴组包括多个沿着所述圆形半径设置的第二喷嘴,所述第二喷嘴沿着垂直于所述半径的方向喷射第二气体,形成旋转气流;第二混气空腔,一腔壁上设置有入口与所述第一混气空腔连通;另一腔壁上设置有出口与匀气组件外部连通;所述第一混气空腔和所述第二混气空腔之间设置有匀气屏,所述匀气屏上设置有多个匀气孔,所述匀气孔作为所述第一混气空腔的出口和第二混气空腔的入口;冷却层,所述冷却层设置在所述第二混气空腔的所述另一腔壁上;所述匀气组件还包括:第一进气槽和第二进气槽;所述第一进气槽的一端与所述第一进气管相连通,另一端与所述第一喷嘴连通;所述第二进气槽的一端与所述第二进气管相连通,另一端与所述第二喷嘴组连通;所述第一进气槽呈十字形,包括两条交叉的直线型的气槽,交叉点与所述圆形的圆心重合;在所述第一进气槽的四个边上对应的位置分别设置有第一喷嘴;四个所述第一喷嘴距离所述圆心距离相等,并且相互之间呈90度的夹角;所述第二进气槽包括四个沿着所述圆形的半径设置的气槽,两个相邻的气槽之间形成90度的夹角;所述第一进气槽和第二进气槽在所述圆形上交错均匀分布,相邻的第一进气槽的气槽和第二进气槽的气槽之间呈45度夹角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科优唯科技有限公司,未经北京中科优唯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610596826.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锌层耐腐蚀氧化铝超疏水膜层的制备方法
- 下一篇:钨膜的成膜方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的