[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201610596540.X | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486341B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 东岛治郎;绪方信博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够与处理所需的喷出形态相应地不产生喷出不良地喷出处理流体的基板处理装置。实施方式的基板处理装置具有喷嘴和配管。喷嘴朝向基板喷出处理流体。配管向喷嘴供给处理流体。另外，配管具有从内侧依次呈第1层、第2层以及第3层的3层构造，喷嘴与第1层的顶端以及第3层的顶端接合，第1层的顶端位于比第2层的顶端不向处理流体的喷出方向突出的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：喷嘴，其朝向基板喷出处理流体；配管，其向所述喷嘴供给处理流体，所述配管具有从内侧依次呈第1层、第2层以及第3层的3层构造，所述喷嘴与所述第1层的顶端以及所述第3层的顶端接合，所述第1层的顶端位于比所述第2层的顶端不向所述处理流体的喷出方向突出的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
