[发明专利]应变的第IV族通道

摘要

本申请涉及应变的第IV族通道。半导体结构包括：a.具有顶表面的单晶基材(1)，b.位于所述单晶基材上的非晶体结构(2)，其包括宽度小于10微米的开口并且将所述单晶基材的顶表面的部分暴露出来，c.缓冲结构(3)，其具有与所述部分毗邻的底表面以及具有小于108穿透错位/cm2的顶表面，所述缓冲结构(3)是由具有第一晶格常数的材料制造的，以及d.一个或多个第IV族单晶结构(4)，其与所述缓冲结构(3)毗邻并且是由具有不同于所述第一晶格常数的第二晶格常数的材料制造的。

主权项

一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：a.使得III‑V或II‑VI缓冲层(3)在单晶基材(1)上以及在被非晶体侧壁(2)限制的空间内进行外延性生长，所述空间具有小于10微米的宽度，其中，形成所述III‑V或II‑VI缓冲层(3)朝向远离所述单晶基材(1)的表面的材料具有第一松弛晶格常数，b.在步骤a期间和/或之后，任选地对所述缓冲层(3)进行退火，c.在所述缓冲层(3)上，任选地外延性生长III‑V或II‑VI单晶中间层，以及d.如果存在所述中间层的话，在所述中间层上，或者如果不存在中间层的话，在所述缓冲层(3)上，外延性生长至少一个第IV族单晶结构(4)，所述至少一个第IV族单晶结构(4)是由具有第二松弛晶格常数的材料制造的，该第二松弛晶格常数不同于所述第一松弛晶格常数，其中，所述任选的中间层是由具有第三松弛晶格常数的材料制造的，该第三松弛晶格常数等于所述第二松弛晶格常数，以及其中，所述任选的中间层比临界厚度薄，在该临界厚度，通过所述第一和第三松弛晶格常数之间的差异所诱发的应变得以释放。