[发明专利]半导体装置以及半导体装置的测量方法有效
申请号: | 201610594012.0 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN106549008B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 佐藤忠彦 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/48;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 万捷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的测量方法。其易于与外部相连接,且能分别测量各半导体芯片的特性。在第一接触部(131a)和第二接触部(141a)之间设置有间隙并靠近,从而构成从外部连接外部连接端子的螺纹孔(132)(连接区域)。此外,在半导体装置(100)中,第一接触部(131a)经由从侧面延伸出的第一连系部(131b)来从侧面延伸出,第二接触部(141a)经由从侧面延伸出的第二连系部(141b)从侧面延伸出,第一连系部(131b)和第二连系部(141b)隔开一定间隔以上。由此,在半导体装置(100)中,包含并联连接的第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116),能作为半导体装置(100)来进行工作。进一步地,在半导体装置(100)中,能得到第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)各自的电特性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 测量方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片;与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子;以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子,所述第一电极端子具有第一接触部,所述第二电极端子具有第二接触部,所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近,从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。
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