[发明专利]一种晶体硅片高方阻扩散方法在审
| 申请号： | 201610593394.5 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106206267A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宝龙 | 申请（专利权）人： | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 272000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种晶体硅片高方阻扩散方法，包括低温沉积及高温沉积：（1）在低温沉积过程中，降低携磷源氮气流量，同时增加大氮流量；降低后的携磷源氮气流量最低值为500 sccm，增加后的大氮流量最低值为12.5 slm；（2）在高温沉积过程中，增加携磷源氮气流量，同时减少大氮流量；增加后的携磷源氮气流量最低值为1000 sccm，减少后的大氮流量最低值为12 slm；（3）增加低温沉积工艺的运行时间至最少5 min；同时减少高温沉积工艺的运行之间至最少1 min，通过本发明扩散的晶体硅电池片方阻可控，均匀性与电性能良好，实验证明，相对于现有工艺，该扩散方法制得的电池片，开路电压提升1~2 mV，短路电流提升25~30 mA，效率提升0.05%~0.1%，效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅片 高方阻 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅片高方阻扩散方法，其特征在于包括低温沉积及高温沉积，步骤如下：（1）在低温沉积过程中，降低携磷源氮气流量，同时增加大氮流量；降低后的携磷源氮气流量最低值为500 sccm，增加后的大氮流量最低值为12.5 slm；在高温沉积过程中，增加携磷源氮气流量，同时减少大氮流量；增加后的携磷源氮气流量最低值为1000 sccm，减少后的大氮流量最低值为12 slm；增加低温沉积工艺的运行时间至最少5 min；同时减少高温沉积工艺的运行之间至最少1 min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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