[发明专利]用于半导体装置的堆叠件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610591020.X | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106409907B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 乔治·A·凯特尔;咖尼时·海德;罗伯特·C·鲍恩;马克·S·罗德尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于半导体装置的堆叠件和用于形成所述堆叠件的方法。所述堆叠件包括：多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触。堆叠件形成在下层上，牺牲层与下层接触。下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 堆叠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体装置的堆叠件，所述堆叠件包括：多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触；以及下层，所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层设置在其上，牺牲层与下层接触，下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
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