[发明专利]一种电容式复合传感器及其制造方法有效
| 申请号: | 201610590821.4 | 申请日: | 2016-07-26 | 
| 公开(公告)号: | CN106290985B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 | 
| 发明(设计)人: | 朱二辉;周志健;陈磊;杨力建;邝国华 | 申请(专利权)人: | 广东合微集成电路技术有限公司 | 
| 主分类号: | G01P15/125 | 分类号: | G01P15/125;G01P15/08;G01L1/14 | 
| 代理公司: | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人: | 曾秋梅 | 
| 地址: | 523000 广东省东莞松山湖高*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | 本发明提供了一种电容式复合传感器,包括压力传感器、加速度传感器,其加速度传感器包括质量块,以及至少一个过载限位装置,过载限位装置由限位挡板和连接件组成,限位挡板一端与晶圆硅衬底相连,一端自由;连接件一端与晶圆硅衬底相连,一端与质量块相连。本发明还提供一种电容式复合传感器的制造方法。其压力传感器敏感膜厚度、加速度传感器限位挡板的厚度及限位距离由刻蚀工艺的刻蚀深度决定,整个晶圆的加工一致性好,加速度传感器采用机械限位结构,省去电学限位结构的复杂控制IC,从而保证限位过载保护的精确性,利于成品小型化。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 电容 复合 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
                1.一种电容式复合传感器,包括至少一个加速度传感器,至少一个压力传感器,其特征在于,所述加速度传感器包括一质量块以及至少一个过载限位装置,所述过载限位装置由第二连接件和限位挡板组成,所述第二连接件一端与晶圆硅衬底相连,另一端与所述质量块相连,所述限位挡板一端与所述晶圆硅衬底相连,另一端自由,所述晶圆硅衬底内设置有第一内空腔、第二内空腔、第三内空腔,所述第二连接件设置在所述第二内空腔上方,所述限位挡板设置第三内空腔上方,所述第二内空腔上方为悬空硅膜结构,所述第二连接件和所述限位挡板均为所述悬空硅膜结构的一部分,所述第一内空腔和所述第二内空腔上方的悬空硅膜结构与所述晶圆硅衬底电绝缘,所述第三内空腔位于所述悬空硅膜结构内,所述第二内空腔上方的悬空硅膜设置有第一释放槽,所述第三内空腔上方的悬空硅膜设置有第二释放槽。
            
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