[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，其目的为实现具有非易失性存储器的半导体器件的小型化。存储单元(MC)具有栅绝缘膜(GIt)、控制栅电极(CG)、盖绝缘膜(CP1)、盖层(CP2)、栅绝缘膜(GIm)及存储栅电极(MG)。层叠型电容元件(CSA)具有电容电极(CE2A)，由子电极(CE21A)和利用在子电极(CE21A)上以规定间隔配置且具有上表面以及侧面的凸台部(突起部)形成的子电极(CE22A)构成；电容绝缘膜(CZ2A)，沿着子电极(CE21A)的上表面及子电极(CE22A)的上表面和侧面形成；和电容电极(CE3A)，形成在电容绝缘膜(CZ2A)上。并且，控制栅电极以及子电极(CE21A)由导体膜(5)形成，盖层以及子电极(CE22A)由导体膜(7)形成，存储栅电极和电容电极由导体膜(9)形成。

主权项

一种半导体器件，其具有形成于半导体衬底的第一区域的存储单元和形成于半导体衬底的第二区域的电容元件，其特征在于，所述存储单元具有：第一导体片，其隔着第一绝缘体片配置于所述半导体衬底的表面；第二导体片，其隔着第二绝缘体片配置于所述第一导体片上；第三导体片，其隔着第三绝缘体片配置于所述半导体衬底的表面，且隔着第四绝缘体片配置于所述第一导体片以及所述第二导体片的侧面；以及一对半导体区域，其以夹着所述第一导体片以及所述第三导体片的方式形成于所述半导体衬底的表面，所述电容元件具有：第四导体片，其形成于所述半导体衬底的表面上，且具有上表面；凸台状的多个第五导体片，其隔着第五绝缘体片配置于所述第四导体片上，在所述第四导体片之上具有上表面以及侧面；第六绝缘体片，其配置于所述第四导体片的上表面上以及所述第五导体片的侧面上；以及第六导体片，其隔着所述第六绝缘体片配置于相邻的所述第五导体片之间，所述第一导体片和所述第四导体片由第一导体膜形成，所述第二导体片和所述第五导体片由第二导体膜形成，所述第三导体片和所述第六导体片由第三导体膜形成。