[发明专利]具有低关态损耗的SiC基超结IGBT的制作方法

摘要

一种具有低关态损耗的SiC基超结IGBT的制作方法，所制作的SiC基超结IGBT具有低关态损耗，包括以下步骤：在SiC第二导电类型的衬底上外延生长第一导电类型的缓冲层；在缓冲层上形成呈横向交替性排列、含有第一导电类型的柱区和第二导电类型的柱区的漂移层；在漂移层上外延形成第二导电类型的体区层；通过离子注入或者外延生长在体区层上形成第一导电类型的源区，通过离子注入形成第二导电类型的基区；刻蚀SiC基片形成沟槽，沟槽的深度越过体区层而进入到柱区内；在沟槽中形成栅氧化层；在沟槽中形成栅电极；在源区和基区上形成源极金属接触，在SiC衬底的背面形成发射极金属接触，并形成欧姆接触；在栅电极和源极金属接触上淀积钝化层，并通孔金属互连。

主权项

一种具有低关态损耗的SiC基超结IGBT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在SiC第二导电类型的衬底(1)上外延生长第一导电类型的缓冲层(2)；在所述第一导电类型的缓冲层(2)上形成呈横向交替性排列、含有第一导电类型的柱区(3)和第二导电类型的柱区(4)的漂移层；在包含所述第一导电类型的柱区(3)和第二导电类型的柱区(4)的漂移层之上外延形成第二导电类型的体区层(5)；通过离子注入或者外延生长在所述第二导电类型的体区层(5)上形成第一导电类型的源区(6)，进而通过离子注入形成第二导电类型的基区(7)；刻蚀SiC基片形成沟槽(701)，所述沟槽的深度越过所述第二导电类型的体区层(5)而进入到所述第一导电类型的柱区(3)内；在所述沟槽(701)中形成栅氧化层(8)；在已形成所述栅氧化层(8)的所述沟槽(701)中形成栅电极(9)；在所述第一导电类型的源区(6)和第二导电类型的基区(7)之上形成源极金属接触(10)，在所述SiC第二导电类型的衬底(1)的背面形成发射极金属接触(11)，并使其形成欧姆接触；以及在所述栅电极(9)和源极金属接触(10)之上淀积钝化层，并通孔金属互连。