[发明专利]制造多个半导体器件的方法

摘要

本发明描述了一种制造包括芯片级封装的多个半导体器件的方法。该方法包括提供具有主表面和背面的半导体晶片。该方法还包括在主表面上形成多个接触。该方法还包括在衬底的主表面中形成多个沟槽。该方法还包括在该背面和在该主表面中的沟槽之间在晶片中形成多个开口。该方法还包括在该晶片的背面上沉积封装剂。该封装剂中的至少一些封装剂穿过在该晶片中的开口以至少部分填充在该主表面中的沟槽。该方法还包括切单该晶片以产生多个芯片级封装，该多个芯片级封装具有包括一或多个接触的主表面和至少部分用所述封装剂覆盖的侧壁。

主权项

一种制造包括芯片级封装的多个半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供具有主表面和背面的半导体晶片；在所述主表面上形成多个接触；在衬底的所述主表面中形成多个沟槽；在所述背面和所述主表面中的所述沟槽之间在所述晶片中形成多个开口；在所述晶片的所述背面上沉积封装剂，其中，所述封装剂中的至少一些封装剂穿过所述晶片中的所述开口以至少部分填充在所述主表面中的所述沟槽；以及沿所述沟槽切单所述晶片以产生所述多个芯片级封装，每个芯片级封装具有包括一或多个接触的主表面和至少部分用所述封装剂覆盖的侧壁。