[发明专利]控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法在审
| 申请号： | 201610585192.6 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106019820A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李德建;陈力钧;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 掩膜版 脱气 雾状 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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