[发明专利]一种用于共源架构嵌入式闪存的字线驱动电路及其方法有效
| 申请号： | 201610584970.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106158022B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄珊;金建明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于共源架构嵌入式闪存的字线驱动电路及其方法，该电路包括：行地址译码器，用于进行行地址译码；电平位移电路，用于将该行地址译码器输出的高低电平转换为字线驱动电路工作电压下的高低电平；第一缓冲器，用于隔离该电平位移电路与输出缓冲器；输出缓冲器，用于产生该嵌入式闪存所需的字线电压,通过本发明，不仅能够实现CSL结构EFLASH的WL驱动电路功能，而且面积消耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 架构 嵌入式 闪存 驱动 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于共源架构嵌入式闪存的字线驱动电路，包括：/n行地址译码器，用于进行行地址译码；/n电平位移电路，用于将该行地址译码器输出的高低电平转换为字线驱动电路工作电压下的高低电平；/n第一缓冲器，用于隔离该电平位移电路与输出缓冲器；/n输出缓冲器，连接行输出电源与负电源，以产生该嵌入式闪存所需的字线电压，该输出缓冲器包括级联的一PMOS管PM0与一NMOS管NM0，该PMOS管PM0与NMOS管NM0的栅极连接该第一缓冲器的输出端，该PMOS管PM0的源极接该行输出电源，其衬底接该字线驱动电路工作电压，该NMOS管NM0的源极和衬底接该负电源，该PMOS管PM0与NMOS管NM0的漏极相连构成字线驱动电路的输出字线电压；/n在读操作时，经过该行地址译码器译码，被选择行的地址译码的输出为芯片工作电压vdd，非选择行的地址译码的输出为低/0V，设计使得此时的驱动电路工作电压、行输出电源均为电压vdd_rd，且负电源为0V，经过该电平位移电路实现电压vdd到电压vdd_rd的转换，经过该第一缓冲器缓冲后再经过该输出缓冲器驱动后，被选择行的字线电压为vdd_rd，非选择行的字线电压为0V。/n
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