[发明专利]FinFET半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种FinFET半导体器件及其制造方法，在形成第一外延层之后，在半导体衬底上沉积第一介质层，包围第一外延层与第二鳍状物，然后通过对第二区域的第一介质层进行刻蚀，使得第二鳍状物的高度低于第二侧墙的高度，并且第一介质层的高度高于第二鳍状物的高度，然后对第二鳍状物两侧的第二侧墙进行刻蚀，该刻蚀为横向刻蚀，从第二鳍状物两侧的第二侧墙分别向外部刻蚀，至剩余部分厚度的第二侧墙，此时由于第二侧墙的两侧存在有第一介质层，可以保证剩余的第二侧墙不会由于厚度的减少而坍塌，之后在第二鳍状物与第二侧墙上形成第二外延层，在增加外延层体积的基础上防止坍塌发生，最终达到了提高半导体器件性能的目的。

主权项

一种FinFET半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括多个第一区域与第二区域，所述多个第一区域与多个第二区域依次间隔排列，并且在所述第一区域上形成有第一鳍状物，在所述第二区域上形成有第二鳍状物；对所述半导体衬底进行第一次沉积工艺，在所述第一鳍状物的侧壁及顶部形成第一侧墙，并在所述第二鳍状物的侧壁及顶部形成第二侧墙；对所述第一鳍状物和第一侧墙进行第一次刻蚀，至所述第一鳍状物和第一侧墙剩余部分高度；对所述第一鳍状物进行外延工艺，在所述剩余的第一鳍状物和第一侧墙上形成第一外延层；进行第二次沉积工艺，在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层包围所述第一外延层、第二鳍状物和第二侧墙；对所述第二区域的第一介质层进行第二次刻蚀工艺，使得所述第二鳍状物的高度低于所述第二侧墙的高度，并且所述第一介质层的高度高于所述第二鳍状物的高度；对所述第二鳍状物两侧的第二侧墙进行第三次刻蚀工艺，所述第三次刻蚀工艺为横向刻蚀，从所述第二鳍状物两侧分别向外部刻蚀，至剩余部分厚度的第二侧墙；对所述第二鳍状物进行外延工艺，形成第二外延层。