[发明专利]氮化硼纳米片连续薄膜、其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610584210.9 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107641789B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 姚亚刚;李涛涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/35;C23C16/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硼纳米片连续薄膜、其制备方法与应用。所述制备方法包括：在基底上覆设前驱物薄膜，之后在含氮反应气氛高温反应，制得所述氮化硼纳米片连续薄膜；所述前驱物薄膜包括至少三种元素，其中的两种元素分别为硼、氧元素，其余元素选自锂、铍、镁、钙、锶、钡、铝、镓、铟、锌、钛和硅中的任意一种或多种的组合。本发明的制备方法可以直接在Si等基底上合成氮化硼连续纳米片(即氮化硼纳米片连续薄膜)，无需金属催化剂的参与，也无需任何转移工序，工艺简单可控，成本低廉，并且所获的氮化硼纳米片连续薄膜可直接作为石墨烯等二维纳米材料的生长基底，进而利于构建石墨烯器件的衬底和/或栅极等，具有巨大的应用前景，能实现批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 纳米 连续 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氮化硼纳米片连续薄膜的制备方法，其特征在于包括：在基底上覆设前驱物薄膜，之后在含氮反应气氛中加热至1000～1400℃并保温反应，制得所述氮化硼纳米片连续薄膜；所述前驱物薄膜包括至少三种元素，其中的两种元素分别为硼、氧元素，其余元素选自锂、铍、镁、钙、锶、钡、铝、镓、铟、锌、钛和硅中的任意一种或两种以上的组合。
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