[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 201610581500.8 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106374018B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 吕绍平;陈怡名;彭钰仁;林俊宇;蔡均富;徐子杰 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含一载体;以及一第一发光单元位于载体上,并包含一第一半导体结构及一第二半导体结构,其中第二半导体结构较第一半导体结构更靠近载体,第一半导体结构包含一第一多重量子阱结构以于操作时发出一具有一第一主波长的第一光线,以及第二半导体结构包含一第二多重量子阱结构以于操作时不发出光线。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光元件,包含:载体;第一发光单元,位于该载体上,并包含具有第一多重量子阱结构的第一半导体结构及具有第二多重量子阱结构的第二半导体结构;第一顶部电极,位于该第一发光单元的该第一半导体结构上;以及第三顶部电极,位于该第一发光单元的该第二半导体结构上,其中该第二半导体结构较该第一半导体结构靠近该载体,该第一多重量子阱结构具有一线性的电流/电压特性,并可发出一具有一第一主波长的第一光线,其中该第二多重量子阱结构具有一非线性的电流/电压特性或该第二多重量子阱结构直接与该第三顶部电极相接触。
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