[发明专利]光阻层上过孔的测量方法有效
| 申请号： | 201610579476.4 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106057699B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张贺 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光阻层上过孔的测量方法，包括如下步骤：在玻璃基板上依次形成有多晶硅层、绝缘层和金属走线，所述多晶硅层包括非图形区和GOA区，所述GOA区包括多个图案；在所述绝缘层上形成光阻层，所述光阻层遮盖所述金属走线；在所述光阻层上形成多个第一过孔和多个第二过孔，所述多个第一过孔与所述多个图案一一对应，所述多个第二过孔与所述非图形区对应且避开所述金属走线设置，其中，所述第一过孔和所述第二过孔尺寸相同；测量所述光阻层上所述第二过孔的尺寸。本发明中通过测量第二过孔尺寸以间接获得第一过孔的尺寸，可以避免直接测量第一过孔尺寸时受到图形区干扰，避免测量结果不准确，提升了TFT基板的生产效率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻层上 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种光阻层上过孔的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上依次形成有多晶硅层、绝缘层和金属走线，所述多晶硅层包括非图形区和GOA区，所述GOA区包括多个图案；在所述绝缘层上形成光阻层，所述光阻层遮盖所述金属走线；在所述光阻层上形成多个第一过孔和多个第二过孔，所述多个第一过孔与所述多个图案一一对应，所述多个第二过孔与所述非图形区对应且避开所述金属走线设置，其中，所述第一过孔和所述第二过孔尺寸相同；测量所述光阻层上所述第二过孔的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
