[发明专利]一种黑磷场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610578768.6 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107644906B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种黑磷场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有开口图案；在所述开口中形成黑磷薄片；执行加热处理，以使所述黑磷薄片转化为覆盖所述开口底部的红磷层；将所述红磷层转化为覆盖所述开口底部的黑磷层；移除所述掩膜层。根据本发明提出的黑磷场效应晶体管的制造方法，可改善黑磷场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑磷 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种黑磷场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有开口图案；在所述开口中形成黑磷薄片；执行加热处理，以使所述黑磷薄片转化为覆盖所述开口底部的红磷层；将所述红磷层转化为覆盖所述开口底部的黑磷层；移除所述掩膜层。
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