[发明专利]多晶硅沉积方法及用于其的沉积装置有效
| 申请号： | 201610573933.9 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106373908B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐祥准 | 申请（专利权）人： | 成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括去氢处理工艺的多晶硅沉积方法及用于该多晶硅沉积方法的沉积装置。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 沉积 方法 用于 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅沉积装置，包括：基材装载部，其用于装载基材；基材输送部，与所述基材装载部结合，并用于交替移动所述基材；及模组，该模组包括：用于在所述基材上沉积非晶硅的等离子部、用于除去所述非晶硅内的氢的去氢处理部和用于对沉积的所述非晶硅进行激光退火的激光部，其中，所述模组包括多个所述等离子部、多个所述去氢处理部及多个所述激光部，所述等离子部、所述去氢处理部及所述激光部分别对称地形成，以使得与所述模组的移动方向无关地、反复通过所述等离子部进行非晶硅的沉积和通过所述激光部进行多晶硅的形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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