[发明专利]一种选择区域外延生长界面改善方法

摘要

本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选择区域外延生长界面改善方法。包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上依次沉积应力缓冲层以及GaN缓冲层，获得进行选择区域外延的模板。在所述模板上淀积一层介质层，作为掩膜层，采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除需要外延AlGaN的区域的介质层,实现对掩膜层的图形化。最后在未被掩蔽的区域依次沉积低气压生长的GaN插入层,常规生长GaN沟道层以及AlGaN势垒层。本发明工艺简单，能够有效改善选择区域外延界面性能，提高选择区域外延层质量，降低外延层中的体漏电流及肖特基二极管反向漏电流。

主权项

一种选择区域外延生长界面改善方法，其特征在于，在选择区域外延AlGaN势垒层之前沉积低气压生长的GaN插入层，将二维电子气沟道与生长界面分离并有效改善界面性能，具体包含以下步骤：S1. 提供一种衬底（1）；S2. 在衬底（1）上生长应力缓冲层（2）；S3. 在应力缓冲层上生长GaN缓冲层（3）；S4. 在GaN缓冲层（3）上沉积一层SiO₂，作为掩膜层（7）；S5. 采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除需要外延AlGaN的区域的介质层， 实现对掩膜层的图形化；S6. 在未被掩蔽的区域沉积低气压生长的GaN插入层（4）；S7. 在低气压生长的GaN插入层（4）上沉积常规生长的GaN沟道层（5）；S8. 在GaN沟道层（5）沉积AlGaN势垒层（6），并刻蚀去掉掩膜层。