[发明专利]分段双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件有效
| 申请号： | 201610571475.5 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106206702B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;张龙;赵敏娜;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种分段双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，之上为N型外延层，在外延层表面淀积氧化层，在外延层上设有环形沟槽，环形沟槽在埋氧层上，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，P型体区和N型缓冲层位于环形沟槽内侧，缓冲层位于P型体区内侧，在P型体区内设有N型和P型发射极，在P型体区内边界上方有多晶硅栅，在N型缓冲层中设有P型集电极，在缓冲层外边界上设有被氧化层包围的多晶硅场板，在P型集电极上引出的金属连线通过U形开口延伸，在开口外侧设有连续沟槽，在环形沟槽及连续沟槽内填充有二氧化硅，其特征在于，在开口与连续沟槽之间设有分段沟槽，在相邻分段沟槽间有载流子撤离通道。 | ||
| 搜索关键词： | 分段 沟槽 高压 屏蔽 横向 绝缘 栅双极 器件 | ||
【主权项】：
1.一种分段双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧层(2)，在埋氧层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的表面淀积有氧化层(20)，在N型外延层(3)上设有环形沟槽(12)且所述环形沟槽(12)立于埋氧层(2)上，在N型外延层(3)中设有呈U形的P型体区(4)和环形N型缓冲层(5)且所述呈U形的P型体区(4)和环形N型缓冲层(5)位于环形沟槽(12)的内侧，所述环形N型缓冲层(5)位于所述呈U形的P型体区(4)的U形内侧，在呈U形的P型体区(4)内设有呈U形的N型发射极(6)和呈U形的P型发射极(7)，在P型体区(4)的内边界上方设有呈U形的多晶硅栅(13)且呈U形的多晶硅栅(13)位于氧化层(20)内，在多晶硅栅(13)上连接有金属(18)且多晶硅栅(13)连接至第一外围结构端子(16)，在环形N型缓冲层(5)中设有P型集电极(8)，在环形N型缓冲层(5)的外边界上方有环形多晶硅场板(14)且所述环形多晶硅场板(14)位于氧化层(20)内，在P型集电极(8)上引出的集电极金属连线(9)且所述集电极金属连线(9)通过U形的开口区域延伸并连接至第二外围结构端子(15)，在U形开口外侧设有连续沟槽(11)，在环形沟槽(12)及连续沟槽(11)内填充有二氧化硅或耐压介质包裹多晶硅，其特征在于，在U形开口与连续沟槽(11)之间设有一排分段沟槽(10)，在相邻分段沟槽(10)之间设有由多晶硅形成的载流子撤离通道(21)，为关断过程中沟槽之间积累的载流子提供了撤离通道，在所述分段沟槽(10)中设有填充有二氧化硅或耐压介质包裹多晶硅。
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