[发明专利]TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，通过将数据线、栅极线、及栅极制作于同一层，可节约一道光罩，通过采用一道半色调光罩形成TFT基板中的多个过孔与像素电极，可节约一道光罩，从而与现有技术相比，本发明可以节约两道光罩，降低生产成本，节约制程时间，提高生产效率，且制程中不会对半导体层造成电性损伤。本发明的TFT基板，制程简单，生产成本低，且具有良好的电学性能。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一金属层(11)，采用一道光罩对所述金属层(11)进行图形化处理，得到数据线(21)、栅极线(22)、及连接至栅极线(22)一侧的栅极(23)，所述数据线(21)与栅极线(22)相交叉，且所述栅极线(22)在交叉处断开，断开的两端分别位于所述数据线(21)的两侧；步骤2、在所述数据线(21)、栅极线(22)、栅极(23)、及基板(10)上沉积绝缘层(40)，在所述绝缘层(40)上形成半导体层(31)，采用一道光罩对所述半导体层(31)进行图形化处理，得到对应于栅极(23)上方的有源层(30)；步骤3、在所述有源层(30)、及绝缘层(40)上形成钝化层(50)，在所述钝化层(50)上形成光阻层(60)，采用一道半色调光罩对所述光阻层(60)进行曝光、及显影，在所述光阻层(60)上形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、第三通孔(63)、第四通孔(64)、及第五通孔(65)，所述第一通孔(61)对应于所述数据线(21)上靠近所述有源层(30)的位置，所述第二通孔(62)与第三通孔(63)分别对应于所述有源层(30)上靠近所述数据线(21)的一侧与所述有源层(30)上远离所述数据线(21)的一侧，所述第四通孔(64)与第五通孔(65)分别对应于所述栅极线(22)断开的两端；同时在所述光阻层(60)上形成第一薄层区域(71)、第二薄层区域(72)与第三薄层区域(73)、以及除所述第一薄层区域(71)、第二薄层区域(72)与第三薄层区域(73)以外的厚层区域(75)，所述第一薄层区域(71)位于所述第一通孔(61)与第二通孔(62)之间；所述第二薄层区域(72)位于所述第三通孔(63)的一侧，所述第三薄层区域(73)位于所述第四通孔(64)与第五通孔(65)之间；步骤4、沿所述第一通孔(61)、第二通孔(62)、第三通孔(63)、第四通孔(64)、及第五通孔(65)对所述绝缘层(40)与钝化层(50)进行干蚀刻处理，在所述绝缘层(40)与钝化层(50)上形成位于所述数据线(21)上靠近所述有源层(30)的位置上方的第一过孔(51)、及位于所述栅极线(22)断开的两端上方的第四过孔(54)与第五过孔(55)，在所述钝化层(50)上形成位于所述有源层(30)上靠近所述数据线(21)一侧上方的第二过孔(52)、以及位于所述有源层(30)上远离所述数据线(21)一侧上方的第三过孔(53)；步骤5、对所述光阻层(60)进行灰化处理，去除所述光阻层(60)的第一薄层区域(71)、第二薄层区域(72)与第三薄层区域(73)，并薄化厚层区域(75)；在剩余的光阻层(60)及钝化层(50)上形成导电薄膜(80)；步骤6、剥离剩余的光阻层(60)，同时去除位于所述光阻层(60)上方的导电薄膜(80)，保留的导电薄膜(80)包括第一导电连接层(81)、第二导电连接层(82)、以及像素电极(83)；所述第一导电连接层(81)分别通过所述第一过孔(51)与第二过孔(52)连接至所述数据线(21)与有源层(30)，所述第二导电连接层(82)分别通过所述第四过孔(54)与第五过孔(55)连接至所述栅极线(22)断开的两端，所述像素电极(83)通过所述第三过孔(53)连接至所述有源层(30)。