[发明专利]通过表面等离子体共振(SPR)的一致埋入金属空穴侦测有效
| 申请号： | 201610564852.2 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106356311B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | S·贾亚辛兰;S·K·帕蒂尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/552 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明公开通过表面等离子体共振(SPR)的一致埋入金属空穴侦测，具体涉及一种方法及设备提供用于使用SPR以一致侦测金属沉积之后半导体晶圆的埋入空穴。实施例包含：于晶圆的第一、第二及第三邻近晶粒中形成第一、第二及第三金属结构；对该第一、第二及第三金属结构进行一致的表面等离子体共振(SPR)；侦测分别对应于该第一、第二及第三金属结构的第一、第二及第三表面等离子体共振波长；将该第一表面等离子体共振波长与该第二表面等离子体共振波长之间的差值及该第三表面等离子体共振波长与该第一表面等离子体共振波长之间的差值与阈值比较；以及基于该比较而判定该第一金属结构中有无埋入空穴。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 表面 等离子体 共振 spr 一致 埋入 金属 空穴 侦测 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：于晶圆的第一、第二及第三邻近晶粒中形成第一、第二及第三金属结构；对该第一、第二及第三金属结构进行一致的表面等离子体共振(SPR)；侦测分别对应于该第一、第二及第三金属结构的第一、第二及第三表面等离子体共振波长；将该第一表面等离子体共振波长与该第二表面等离子体共振波长之间的差值及该第三表面等离子体共振波长与该第一表面等离子体共振波长之间的差值与阈值比较；以及基于该比较而判定该第一金属结构中有无埋入空穴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
