[发明专利]红外探测像元结构及其制备方法、混合成像器件

摘要

本发明提供了一种红外探测像元结构及其制备方法、以及混合成像器件，利用梳状结构的上极板和下极板来形成电容结构，并且上电极结构的一端不固定，这样，当上电极结构中的红外敏感结构吸收红外光产生热应力，将导致变形，使得上极板和下极板之间的电容发生变化，实现红外探测，提高了器件的灵敏度；并且，红外探测像元结构应用于红外光可见光混合成像器件中，可以实现同一硅衬底上的可见和红外两部分成像，提高了成像质量。

主权项

1.一种红外探测像元结构，设置在一硅衬底上，其特征在于，包括：位于硅衬底中的下电极结构，下电极结构具有第一方向排列的下极板以及将多个下极板相连接的第二方向排布的下连接体，其中，所述下连接体与每个下极板的底部相连接，从而使相邻下极板和底部的下连接体之间构成沟槽，每个上极板插入沟槽内，上极板、所述沟槽两侧的下极板、以及所述沟槽内的气体构成双电容结构，第一方向与第二方向相互垂直，第一方向为竖直方向，第二方向为水平方向；位于下电极结构上方的上电极结构，上电极结构具有与下电极结构相间的第一方向排列的上极板以及将多个上极板相连接的第二方向排布的上连接体；上连接体的一端固定，为连接端，上连接体的非连接端不固定，使得非连接端相对于所述连接端可相对运动；在上连接体表面具有红外敏感结构，红外敏感结构用于吸收入射的红外光并且产生热变形，从而非连接端相对于连接端做相对移动，使得上极板相对于下极板产生相对位移，上极板和下极板产生电容信号发生变化，从而实现红外探测。