[发明专利]一种负离子LED发生照明装置有效

专利信息
申请号: 201610561576.4 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN106051560B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 徐廷明 申请(专利权)人: 徐廷明
主分类号: F21S8/04 分类号: F21S8/04;F21V33/00;F21V23/00;F21V23/04;F21V3/02;F21V3/04;F21V29/87;F21V29/77;F21V29/89;F21V21/02;H01T23/00;C09D163/00;C09D201/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 毕强
地址: 324000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种负离子LED发生照明装置,包括灯罩、后壳、照明灯组件、连接导线以及电控装置和第一负离子发生装置以及第二负离子发生装置等结构。本发明提供的上述负离子LED发生照明装置,其具有诸多方面的技术改进,设计了诸多创造性的技术方案以及结构;同时其也取得了诸多方面的技术进步,因此必将会带来良好的市场前景和经济效益。
搜索关键词: 一种 负离子 led 发生 照明 装置
【主权项】:
1.一种负离子LED发生照明装置,其特征在于,包括灯罩、后壳、照明灯组件、连接导线以及电控装置和第一负离子发生装置;所述灯罩可拆卸连接在所述后壳的底端;所述连接导线依次电连接电控装置和照明灯组件;所述照明灯组件设置在所述灯罩与所述后壳形成的腔体内部;所述灯罩的截面为波浪状的形状;所述照明灯组件包括多个LED照明灯以及反射面板和设置在所述灯罩表面的温度传感器;且所述反射面板的截面也为波浪状的形状;所述电控装置设置在所述腔体的外部;所述电控装置具体包括电控外壳以及设置所述电控外壳内部的主板和控制芯片;所述第一负离子发生装置包括负离子发生器、负离子转换器以及纳子富勒烯释放管;其中,所述负离子发生器、所述负离子转换器和所述控制芯片均集成设置在所述主板上,所述纳子富勒烯释放管则设置在所述腔体处;所述负离子发生器与所述负离子转换器连接,且所述负离子转换器与所述纳子富勒烯释放管连接;所述纳子富勒烯释放管用于释放自由电子的游离析出;所述纳子富勒烯释放管采用富勒烯C60材料作为释放尖端;所述腔体内还设置有风机和滤芯装置,所述滤芯装置包括框架及设置于框架内的滤芯;所述滤芯包括HEPA过滤层、冷触媒过滤层、纳米银过滤层、纳米铜过滤层及竹炭过滤层;且所述滤芯呈折叠状设置;所述灯罩的底面设置有多个出风口,且所述出风口的朝向方向与所述纳子富勒烯释放管的伸出端方向相同,位置相对应;且所述滤芯装置的底部还设置有第二负离子发生装置;所述第二负离子发生装置包括有紫外线灯和自净式催化膜;所述自净式催化膜包括不锈钢网和镀在所述不锈钢网上的二氧化钛层;在所述电控装置的结构中,所述主板上还集成设置有温控器和过电流保护器、过热保护器;所述温控器分别与所述过热保护器、过电流保护器电连接构成温控电路;所述过热保护器具体为热敏电阻;所述温控器用于在主板实时导通的电流超过预设电流阈值后切断电控装置的电源,所述温控器还用于在灯罩上的温度传感器实时检测温度超过预设温度阈值后切断电控装置的电源;在所述电控装置的结构中,所述腔体内设置有声控传感器和光敏传感器以及红外传感器;所述控制芯片分别与所述声控传感器和所述光敏传感器、所述红外传感器电连接;所述控制芯片用于实时接收声控传感器的启动信号,并在接收声控传感器的后控制所述LED照明灯发光;所述声控传感器用于检测当前室内分贝超过预设分贝值后发送声控传感器的启动信号;所述控制芯片还用于实时接收光敏传感器的启动信号,并在接收光敏传感器的启动信号后控制所述LED照明灯发光;所述光敏传感器用于检测当前室内光照强度低于预设光照强度值后发送光敏传感器的启动信号;所述控制芯片还用于实时接收红外传感器的启动信号,并在接收红外传感器的启动信号后控制所述第一负离子发生装置启动以及控制所述第二负离子发生装置启动;所述红外传感器用于检测当前室内出现远红外热源后发送红外传感器的启动信号;截面波浪状的所述灯罩具体为有机玻璃灯罩;且截面波浪状的所述灯罩的表面上还设置有纳米辐射散热涂层;所述纳米辐射散热涂层的制作原料的重量百分比如下:环氧树脂20%-25%、开油水10%-15%、氮化物13%-18%、助剂2%-3%、散热云母粉5%-10%、高散热氧化物20%-30%、纳米辐射散热粉20%-30%以及水溶性树脂2%-3%、稀土氧化物2%-3%;所述纳子富勒烯释放管内壁还设置有托玛琳矿石粉末层和多个金属丝网;多个所述金属丝网间隔交替分布;所述托玛琳矿石粉末层用于在自由电子碰撞冲击托玛琳粉末层后,在电能的作用下发生压电效应而放电,叠加于负离子发生器产生的电离子;所述金属丝网用于在所述金属丝网本身的细密网格间摩擦增强自由电子的荷电几率。
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