[发明专利]多模式开关电容电路有效
| 申请号: | 201610560581.3 | 申请日: | 2016-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN106026638B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 王海时;王天宝;彭映杰;姚尧;许文;郑欣 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 詹永斌 |
| 地址: | 610225 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 公开了一种多模式开关电容电路,包括一个飞电容、两个输出电容、七个晶体管和三个衬底选择电路。通过控制七个晶体管的导通和关断,该开关电容电路可以工作于正负1倍模式或正负0.5倍模式,在两个输出电容上提供正负1倍电源电压或正负0.5倍电源电压。 | ||
| 搜索关键词: | 模式 开关 电容 电路 | ||
【主权项】:
1.一种多模式开关电容电路,包括,第一电源端,用以接收第一电源;接地端,用以耦接至地电势;第一电容,具有第一端和第二端;第二电容,具有第一端和第二端,其第二端耦接至所述接地端;第三电容,具有第一端和第二端,其第二端耦接至所述接地端;第一晶体管,为PMOS晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述第一电源端,其第二端耦接至所述第一电容第一端,其衬底端耦接至所述第一电源端;第二晶体管,为NMOS晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述接地端,其第二端耦接至所述第一电容第一端,其衬底端耦接至所述接地端;第三晶体管,为PMOS晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述第一电源端,其第二端耦接至所述第二电容第一端,其衬底端耦接至所述第一电源端;第四晶体管,为NMOS晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述第一电容第一端,其第二端耦接至所述第三电容第一端;第一衬底选择电路,具有第一端、第二端和选择端,其选择端耦接至所述第四晶体管衬底端,其第一端耦接至所述第四晶体管第二端,其第二端耦接至所述接地端;第五晶体管,为NMOS晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述第一电容第二端,其第二端耦接至所述第三电容第一端;第二衬底选择电路,具有第一端、第二端和选择端,其选择端耦接至所述第五晶体管衬底端,其第一端耦接至所述第五晶体管第二端,其第二端耦接至所述第二电容第一端;第六晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述第一电容第二端,其第二端耦接至所述接地端;第三衬底选择电路,具有第一端、第二端和选择端,其选择端耦接至所述第六晶体管衬底端,其第一端耦接至所述第六晶体管第二端,其第二端耦接至所述第二电容第一端;以及第七晶体管,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其第一端耦接至所述第一电容第二端,其第二端耦接至所述第二电容第一端,其衬底耦接至所述第二电容第一端,其中,所述第一衬底选择电路或第二衬底选择电路或第三衬底选择电路包含一个衬底选择器,所述衬底选择器具有第一端配置为所述第一、第二或第三衬底选择电路的第一端,第二端配置为所述第一、第二或第三衬底选择电路的第二端,选择端配置为所述第一、第二或第三衬底选择电路的选择端,电源端和控制端,所述衬底选择器包括:反相器I1,具有输入端、输出端、高电源端和低电源端,其输入端耦接至所述衬底选择器的控制端,其高电源端耦接至所述衬底选择器的电源端,其低电源端耦接至所述第一衬底选择电路的第二端;P型晶体管P1,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其控制端耦接至所述反相器I1的输出端,其第一端耦接至所述衬底选择器的选择端,其第二端耦接至所述衬底选择器的第二端,其衬底端耦接至所述衬底选择器的电源端;N型晶体管N1,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其控制端耦接至所述反相器I1的输出端,其第一端耦接至所述衬底选择器的选择端,其第二端耦接至所述衬底选择器的第一端,其衬底耦接至所述衬底选择器的第二端;P型晶体管P2,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其控制端耦接至反相器I1的输入端,其第一端耦接至所述衬底选择器的选择端,其第二端耦接至所述衬底选择器的第一端,其衬底耦接至所述衬底选择器的电源端;以及N型晶体管N2,具有控制端、第一端、第二端和衬底端,其控制端耦接至所述反相器I1的输入端,其第一端耦接至所述衬底选择器的选择端,其第二端耦接至所述衬底选择器的第二端,其衬底耦接至所述衬底选择器的第二端。
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