[发明专利]一种提高ITO电流扩展的发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610557361.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106206893B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管，衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上形成ITO电流扩展层，该ITO电流扩展层由低面阻值ITO层和高面阻值ITO层构成；欧姆接触层上生长底层低面阻值ITO层，在底层低面阻值ITO层上循环生长高面阻值ITO层、低面阻值ITO层，最顶层为低面阻值ITO层，最顶层的低面阻值ITO层连接P型电极；低面阻值ITO层和高面阻值ITO层由SnO2和In2O3构成。本发明还公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管制作方法。本发明有效提高ITO电流扩展效果，减小电极的遮光面积，提高有源区光的萃取率，提高芯片可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 低面 电流扩展 发光二极管 欧姆接触层 高面 外延层 最顶层 芯片可靠性 上循环 萃取率 电极 生长 衬底 减小 源区 遮光 制作 | ||
【主权项】：
1.一种提高ITO电流扩展的发光二极管，其特征在于：衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上形成ITO电流扩展层，该ITO电流扩展层由低面阻值ITO层和高面阻值ITO层构成；欧姆接触层上生长底层低面阻值ITO层，在底层低面阻值ITO层上循环生长高面阻值ITO层、低面阻值ITO层，最顶层为低面阻值ITO层，最顶层的低面阻值ITO层连接P型电极；低面阻值ITO层和高面阻值ITO层由SnO2 和In2 O3 构成，低面阻值ITO层中的SnO2 重量比例为6%＜SnO2 ＜10%；高面阻值ITO层中的SnO2 重量比例为2%＜SnO2 ＜6%。
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