[发明专利]一种铁电阻变存储器及其开关比的调控方法在审
| 申请号： | 201610557208.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107623070A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王占杰;白宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司21001 | 代理人： | 崔晓蕾 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器及调控其开关比的方法，该铁电阻变存储器由上电极材料金，下电极和衬底材料掺铌钛酸锶以及锆钛酸铅铁电材料所构成。该器件的制备方法是利用化学溶液沉积法在掺铌钛酸锶衬底上沉积锆钛酸铅铁电薄膜，然后利用溅射法在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积金作为上电极。其中锆钛酸铅铁电材料的厚度为100～450nm。通过调控锆钛酸铅铁电材料的厚度，实现了金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器开关比从17到846的变化，提高了50倍。该方法可以有效地调控铁电阻变存储器开关比，简单易行，便于实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储器 及其 开关 调控 方法 | ||
【主权项】：
一种外延铁电薄膜基铁电阻变存储器，其特征在于：由上电极、外延铁电薄膜和下电极构成，铁电薄膜层位于上、下电极层之间；其中，上电极材料为金，下电极材料为掺铌钛酸锶，中间的铁电薄膜层为锆钛酸铅铁电薄膜，构成金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶三明治结构。
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