[发明专利]一种NO2光电气敏传感器的制备方法

摘要

本发明涉及气体传感器制备技术领域，具体涉及一种NO2光电气敏传感器的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一、ZnO种子层制备；步骤二、ZnO纳米墙生长；步骤三、老化制得成品。本发明所制备的NO2光电气敏传感器具备下面几方面的优点：（1）可探测到ppb级，对5ppb的NO2的气体灵敏度为7.482，（2）高灵敏度，室温下对波长为365nm光的光灵敏度为6.16,对50ppm的NO2灵敏度高达57.5，（3）稳定性好，（4）材料易于获得，（5）具有光敏与气敏的耦合特性。

主权项

一种NO2光电气敏传感器的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：步骤一、ZnO种子层制备：将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O 和Al(NO3)3.9H2O与乙醇在室温条件下混合，使Zn2+浓度为0.2mol/L，放在水浴锅中，用磁力搅拌器在70℃下加热搅拌1h，得到均匀的溶液；将Ag叉指电极依次经过丙酮、乙醇溶液和去离子水超声清洗30min，烘干后利用SYDC‑100浸渍提拉机进行提拉，提拉速度为4500~6000um/s，浸渍时间为30s，然后在80℃下干燥10min；反复提拉4次；将生成的薄膜在400℃下热处理30min，得到ZnO种子层膜；步骤二、ZnO纳米墙生长：将Zn(NO3)26H2O与(CH3)6N4按摩尔比为1:1配制成0.05mol/L的溶液，70℃加热搅拌1h，当溶液中开始出现浑浊后，停止搅拌，将溶液倒入水热反应釜的聚四氟乙烯内胆中，并将覆有ZnO种子层薄膜的Ag叉指电极垂直插入生长液中，80℃恒温生长5h；取出后用去离子水冲洗并干燥，得到ZnO纳米墙薄膜，最后放入箱式电炉中在450℃下热处理1 h，即在Ag叉指电极表面得到一层白色的ZnO纳米墙薄膜；步骤三、老化制得成品：将步骤二得到的Ag叉指电极放在CGS‑1TP智能气敏分析系统控温台样品区，调节两探针，使其与电极片的两端接触，室温时，在照射功率100%的365nm波长光光照条件下进行老化，老化时间为1.5h。