[发明专利]一种大视场超分辨成像器件有效
| 申请号： | 201610556716.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106199997B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;蒲明博;赵泽宇;王彦钦;李雄;马晓亮;王长涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B27/58 | 分类号： | G02B27/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大视场超分辨成像器件，包括自下而上依次排布的基底、超表面。其中，所述的超表面是由超薄金属或介质膜上连续排列的纳米单元结构阵列组成，所述纳米单元结构为深亚波长结构。本发明利用纳米结构上的几何相位来控制电磁波的对称性，将电磁波由旋转对称转换为平移对称，得到接近180°的大视场完美聚焦，若采用曲面或多平面组合，可实现360°大视场成像。本发明工作带宽可覆盖整个电磁频谱，分辨率接近甚至突破衍射极限，在大视场超分辨成像领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 视场 分辨 成像 器件 | ||
【主权项】：
1.一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：包括自下而上依次排布的基底，超表面，其中所述的超表面由连续排列的各向异性的纳米结构阵列组成；所述各向异性纳米结构是在超薄金属或介质上刻蚀而成，所述各向异性纳米结构的长轴l和短轴w不相等且均小于波长；所述纳米结构阵列的晶格常数p的取值范围为：0<p<λ/4，λ为入射光波长；所述的超薄金属的厚度Tg的取值范围为：δ<Tg<λ/5，λ为入射光波长，δ为金属的趋肤深度，![]()
真空磁导率μ0＝4π×10‑7H/m，ω为圆频率，σ为金属的电导率；所述超薄介质厚度小于入射光波长。
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