[发明专利]具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件

摘要

提供了具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件。一种半导体器件（500）包括晶体管单元（TC），其当施加到栅电极（155）的栅电压超过第一阈值电压（Vthn）时将第一负载电极（310）与漂移结构（120）连接，漂移结构（120）与本体区（115）形成第一pn结（pn1）。在第一负载电极（310）的垂直投影中并且与第一负载电极（310）电连接的第一辅助单元（AC1）配置为至少在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。第二辅助单元（AC2）配置为当在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中栅电压低于比第一阈值电压（Vthn）低的第二阈值电压（Vthp）时以高发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中，并且当栅电压超过第二阈值电压（Vthp）时以低发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。

主权项

1.一种半导体器件，包括：晶体管单元（TC），配置为当施加到栅电极（155）的栅电压超过第一阈值电压（Vthn）时将第一负载电极（310）与漂移结构（120）连接，所述漂移结构（120）与本体区（115）形成第一pn结（pn1）；第一辅助单元（AC1），在第一负载电极（310）的垂直投影中并且与第一负载电极（310）电连接并且配置为至少在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中将电荷载流子注入到漂移结构（120）中；以及第二辅助单元（AC2），配置为当在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中栅电压低于比第一阈值电压（Vthn）低的第二阈值电压（Vthp）时以高发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中，并且当栅电压超过第二阈值电压（Vthp）时以低发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。