[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统在审
| 申请号： | 201610552716.1 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106356406A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 早乙女辽一;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉,肖靖泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。场效应晶体管包括基底；钝化层；形成于基底和钝化层之间的栅绝缘层；形成为与栅绝缘层接触的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成且与栅绝缘层、源电极、和漏电极接触的半导体层；以及与栅绝缘层接触且经由栅绝缘层面对半导体层的栅电极，其中钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，和其中栅绝缘层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示 元件 图像 显示装置 系统 | ||
【主权项】：
场效应晶体管，包括：基底；钝化层；形成于基底和钝化层之间的栅绝缘层；形成为与栅绝缘层接触的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成且与栅绝缘层、源电极、和漏电极接触的半导体层；和与栅绝缘层接触且经由栅绝缘层面对半导体层的栅电极，其中钝化层包括包含碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，和其中栅绝缘层包括包含碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。
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