[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。

主权项

一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层,且使得所述In‑Se化合物层满足原子比In/Se＝1.1‑2.0；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，所述硒化热处理包括硒化和退火过程，退火过程的温度高于550℃，得到铜铟镓硒吸收层。