[发明专利]一种超结MOS晶体管有效
| 申请号： | 201610542698.9 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106206734B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;张彦飞;肖超;宋李梅;丁艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每个表面MOS结构的敏感区域均与P型立柱的中轴线错位；每个表面MOS结构的敏感区域均与N型立柱的中轴线错位；其中，敏感区域包括：栅氧化层与外延层交界的界面区域。本发明提供的晶体管，用以解决现有技术中SJ‑MOSFET应用在空间领域时，存在易出现SEB和SEGR，导致失效的技术问题。实现了单粒子辐射加固的效果，进而提高器件在空间应用时的可靠性的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种超结MOS晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：外延层，所述外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，所述表面MOS结构包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每个所述表面MOS结构的敏感区域均与所述P型立柱的中轴线错位；每个所述表面MOS结构的敏感区域均与所述N型立柱的中轴线错位；其中，所述敏感区域包括：所述栅氧化层与所述外延层交界的界面区域；其中，所述外延层位于N+型衬底上，所述外延层为N型外延层；位于所述P型立柱和所述N型立柱的交界处的所述表面MOS结构包括：位于所述P型立柱顶端的第一P+阱区、位于所述第一P+阱区顶端的第一N阱区、位于所述N型立柱顶端的P阱区、位于所述P阱内的第二P+阱区、位于所述第二P+阱区顶端的第二N阱区、栅氧化层和栅极；其中，所述栅氧化层连接所述第一N阱区表面和所述第二N阱区表面；所述晶体管的金属源极连接所述第一P+阱区表面、所述第二P+阱区表面、所述第一N阱区表面和所述第二N阱区表面；所述晶体管的漏极为所述N+型衬底。
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