[发明专利]一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法在审
| 申请号： | 201610541957.6 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106082120A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 景蔚萱;周帆;吴琼;崔奇兵;蒋庄德;高伟卓;徐志鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒；其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位，形成ZnO纳米管；以上述ZnO纳米管为模板，采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线；最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板，不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线，也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno 纳米 模板 制备 ag 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，其特征在于，在ITO导电玻璃上化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。
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