[发明专利]一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。

主权项

1.一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件制备方法，其特征在于该方法如下：（1）、选取覆盖有ITO的玻璃作为衬底和阳极，依次采用丙酮、清洗液、纯水和异丙醇洗净衬底和阳极后烘干，然后经紫外‑臭氧处理10‑20分钟；（2）、在ITO上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，第一空穴注入层材料是氧化石墨烯，氧化石墨烯的浓度为0.5mg/mL，第一空穴注入层的厚度为3nm，旋涂工艺环境：转速3000rpm，旋涂时间30s，热处理温度120℃，热处理时间20min；（3）、在真空度优于5×10‑4Pa的条件下采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，第二空穴注入层材料是MoO3，第二空穴注入层的厚度为5nm，然后再依次沉积空穴传输层CBP、发光层TAZ、电子传输层BPhen、电子注入层LiF；其中，CBP表示4,4’‑bis(carbazol‑9‑yl)biphenyl；TAZ表示3‑(4‑biphenyl)‑4‑phenyl‑5‑tert‑butylphenyl‑1,2,4‑triazole；Bphen表示4,7‑diphenyl‑1,10‑phenanthroline；空穴传输层CBP的厚度为50nm，发光层TAZ的厚度为35nm，电子传输层BPhen的厚度为50‑70nm，电子注入层LiF的厚度为1nm；（4）、在不破坏真空的条件下更换掩膜板，沉积反射金属阴极层Al，反射金属阴极层Al的厚度不小于80nm；（5）、从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。