[发明专利]一种硅基复合衬底的外延方法

摘要

本发明公开了一种硅基复合衬底的外延方法，具体包括以下步骤：在硅片上外延碲化镉形成硅基复合衬底；在分子束外延系统的腔室中，在碲束流的保护下，对硅基复合衬底进行高低温退火，高低温退火包括升温过程和降温过程。借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中存在的工艺复杂，对材料尺寸要求高，工艺条件不易控制的问题，能够提高硅基复合衬底的材料质量，通过FWHM和EPD表征，本发明实施例的方法得到的硅基复合衬底与现有技术中的原生的硅基复合衬底相比，在表面粗糙度、晶体质量等方面均对有较大提升。

主权项

一种硅基复合衬底的外延方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片上外延碲化镉形成硅基复合衬底；在分子束外延系统的腔室中，在碲束流的保护下，对所述硅基复合衬底进行高低温退火，所述高低温退火包括升温过程和降温过程。