[发明专利]半导体打线接合结构及方法在审

专利信息
申请号: 201610539731.2 申请日: 2012-07-13
公开(公告)号: CN105957852A 公开(公告)日: 2016-09-21
发明(设计)人: 洪志成;吴孟霖;叶科廷;陈胜鸿 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/607
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明关于一种半导体打线接合结构及方法。该打线接合结构包括一半导体元件及一焊线。该半导体元件的焊垫具有一中心凹部及一环状突部。该焊线具有一连接部,接合于该中心凹部。该环状突部连续地环绕该连接部,且大致上为一等宽的环形。
搜索关键词: 半导体 接合 结构 方法
【主权项】:
一种半导体打线接合方法,包括以下步骤:(a)形成一球状结构于一焊线的一末端;(b)移动该焊线,使得该球状结构接触一半导体元件的一焊垫;(c)施加一第一下压力及一第一振动能量于该焊线,使得该焊线沿着一第一方向振动,而推挤部分该焊垫,以于焊垫上形成一第一突部,且使得该球状结构变形成一连接部;(d)停止该第一振动能量;及(e)改变该第一下压力成一第二下压力,且同时施加一第二振动能量于该焊线,使得该焊线沿着一第二方向振动,而推挤部分该焊垫,以于焊垫上形成一第二突部,该第一突部的宽度与该第二突部的宽度大致相等,且该第一突部与该第二突部连续地形成一环状突部,并且该环状突部包围该连接部的外围,其中该第二方向大致垂直该第一方向,且该第一下压力大于该第二下压力,其中,该步骤(c)更包括一施加一第三振动能量于该焊线的步骤,该第三振动能量使得该焊线沿着该第二方向振动,而推挤部分该焊垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610539731.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top