[发明专利]半导体打线接合结构及方法在审
申请号: | 201610539731.2 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN105957852A | 公开(公告)日: | 2016-09-21 |
发明(设计)人: | 洪志成;吴孟霖;叶科廷;陈胜鸿 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/607 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明关于一种半导体打线接合结构及方法。该打线接合结构包括一半导体元件及一焊线。该半导体元件的焊垫具有一中心凹部及一环状突部。该焊线具有一连接部,接合于该中心凹部。该环状突部连续地环绕该连接部,且大致上为一等宽的环形。 | ||
搜索关键词: | 半导体 接合 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体打线接合方法,包括以下步骤:(a)形成一球状结构于一焊线的一末端;(b)移动该焊线,使得该球状结构接触一半导体元件的一焊垫;(c)施加一第一下压力及一第一振动能量于该焊线,使得该焊线沿着一第一方向振动,而推挤部分该焊垫,以于焊垫上形成一第一突部,且使得该球状结构变形成一连接部;(d)停止该第一振动能量;及(e)改变该第一下压力成一第二下压力,且同时施加一第二振动能量于该焊线,使得该焊线沿着一第二方向振动,而推挤部分该焊垫,以于焊垫上形成一第二突部,该第一突部的宽度与该第二突部的宽度大致相等,且该第一突部与该第二突部连续地形成一环状突部,并且该环状突部包围该连接部的外围,其中该第二方向大致垂直该第一方向,且该第一下压力大于该第二下压力,其中,该步骤(c)更包括一施加一第三振动能量于该焊线的步骤,该第三振动能量使得该焊线沿着该第二方向振动,而推挤部分该焊垫。
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