[发明专利]一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法

摘要

本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致性好，顶部一致性平整的塔形铟柱阵列，占空比小，可避免在倒焊互连时像元由于铟柱形变而短路，进而降低红外焦平面探测器芯片盲元率和非均匀性；本发明适用于碲镉汞红外焦平面探测器平面结的铟柱制备，也适用于III‑V族红外焦平面探测器台面结的铟柱制备，对与探测器芯片配套的集成电路也适用，普适性好。

主权项

一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在焦平面芯片上旋涂负性光刻胶NR9‑8000，厚度7～9微米，并在70摄氏度烘箱中软烘光刻胶20分钟；2)对焦平面芯片进行光刻曝光，曝光时间为10秒；3)曝光好的芯片继续在70摄氏度烘箱中固化光刻胶20分钟，放入RD6显影液中显影20秒，经过纯水定影30秒后，放入70摄氏度的烘箱中坚膜1小时，获得顶部小底部大的塔形铟柱光刻孔；4)将光刻好铟孔的探测器芯片用高真空热蒸发的方法生长铟膜；5)将生长好铟膜的焦平面芯片放入丙酮中浸泡冲洗，表面铟层即整体剥离，再用无水乙醇过洗；6)获得高度7～9微米的铟柱阵列。