[发明专利]一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法有效
申请号: | 201610537428.9 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN105957727B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 王升高;陈睿;刘星星;崔丽佳;皮小强;张维 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | H01G11/30 | 分类号: | H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 刘洋 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法。包括以下步骤将洁净的铜高温氧化,获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列;采用化学镀的方法在纳米氧化铜线阵列表面镀上一层镍,高温退火,形成Ni/NiCu阵列;将所得材料高温氧化,生成氧化镍,制得NiO/NiCu电极材料。制得的电极材料中铜镍合金为呈发射状的纳米阵列,并且氧化镍附着在合金表面,这样不仅增大了电极材料的表面积,也有利于离子在阵列结构中快速传输,进而提高超级电容器的能量密度和功率密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 nio nicu 复合 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将洁净的铜线高温氧化,获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列;氧化温度在450~600℃,时间为4~8h;氛围为空气;2)采用化学镀的方法在纳米氧化铜线阵列表面镀上一层厚度为20~50nm的镍,高温退火,形成Ni/NiCu阵列;高温退火的退火温度在450~650℃,时间为1~3h;氛围为氮气气氛;3)将步骤2所得材料高温氧化,生成氧化镍,制得NiO/NiCu复合电极材料;高温氧化的氧化温度为400~600℃,时间为2~5h;氛围为空气。
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