[发明专利]一种利用二维材料抑制钙钛矿俄歇复合的方法有效
申请号: | 201610536736.X | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106219600B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 肖淑敏;张晨;朱茂霞;宋清海 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;C01G23/00;C01B32/184;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 曹大鹏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于光电技术材料领域,具体涉及一种利用二维材料抑制钙钛矿俄歇复合的方法,包括:首先化学方法合成钙钛矿微米级棒状结构;然后通过湿法转移,在玻璃基底上转移石墨烯,钙钛矿下面加上一层二维材料石墨烯,对于石墨烯的拉曼光谱,G峰和2D峰的峰值均大于0.8×10k a.u.。为能在半导体激光器领域降低俄歇复合、增大激光的输出效率上的应用打下了基础,为在提高太阳能电池的效率、OLED等光电领域的应用提供了思路。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 二维 材料 抑制 钙钛矿俄歇 复合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用二维材料抑制钙钛矿俄歇复合的方法,其特征在于,包括:首先化学方法合成钙钛矿微米级棒状结构,所述钙钛矿为CH3NH3PbBr3,所述钙钛矿微米级棒有发射单模激光的微型腔;然后通过湿法转移,在玻璃基底上转移石墨烯,钙钛矿下面加上一层二维材料石墨烯,对于石墨烯的拉曼光谱,G峰的峰值为8505a.u.,2D峰的峰值为13845a.u.,其中,所述化学方法合成钙钛矿微米级棒状结构的方法如下:分别称取一定质量的甲基溴化铵和溴化铅固体粉末,分别溶于两份提前准备好的相应体积的二甲基甲酰胺溶液中,制备成两份浓度均为0.1mol/L的甲基溴化铵溶液和溴化铅溶液;将两份溶液混合反应后,配置成为浓度为0.05mol/L的甲基溴化铵·溴化铅溶液;分别使用丙酮和异丙醇超声清洗已经裁剪成合适尺寸的玻璃片,将玻璃片放置于一块合适尺寸的聚四氟乙烯平台上,将平台置于装有合适体积的二氯甲烷溶液中,并且二氯甲烷不得淹没平台,液面应该置于平台以下,然后将配置好的溶液滴到玻璃片上;最后使用多孔保鲜膜密封盛装溶液的烧杯,将整个系统至于通风环境较好的通风橱里,进行合成生长;其中,湿法转移的方法如下:(1)将石墨烯/铜箔剪裁成1x1cm大小,在裁剪的过程中不要触碰铜箔的上表面,避免机械破坏对石墨烯造成损伤;(2)配置铜的刻蚀溶液,选取的是使用FeCl3·6H2O、HCl、H2O按照一定的配比,通过搅拌溶解配制浓度为25%wt的FeCl3溶液;(3)使用匀胶机在铜箔/石墨烯的样品上溶胶,旋涂PMMA,选择转速为4000转/分钟进行匀胶,最终PMMA的厚度为270nm;将匀好胶的PMMA/石墨烯/铜箔至于空气中室温凉5‑10min;(4)将上述溶胶后的PMMA/石墨烯/铜箔样品置于60℃的烘胶台上加热3min,使得PMMA被固化;(5)将已经冷却的样品放到已经配好的FeCl3溶液中,等待铜的溶解,等到铜基底被完全刻蚀后,只剩下PMMA/石墨烯,用直径为2cm的硅片捞取PMMA/石墨烯,捞起样品放到清水中,等待5分钟,再用同样的方法转移到另一份清水中,等待5min,再转移到第三份准备好的干净的去离子水中,等待5min;(6)用目标基底‑玻璃片或者多层膜结构,将石墨烯/PMMA轻轻的捞起,用氮气枪吹干,排除PMMA/石墨烯和基底之间的水;(7)将已经按压平整的PMMA/石墨烯/基底的样品放置在150℃的烘胶台上加热3min,最后将样品取出,在空气中冷却至室温;(8)用丙酮浸泡样品15小时以上,除去附着有石墨烯的PMMA胶,再将溶液放到烘胶台上50℃加热3小时。
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