[发明专利]一种二维晶体MXene纳米材料的制备方法在审
申请号: | 201610534768.6 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106220180A | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 于云;冯爱虎;王勇;江峰;于洋;米乐;宋力昕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C04B35/626 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种二维晶体MXene纳米材料的制备方法,包括:将高纯三元层状MAX相陶瓷块体材料研磨后过筛,得到MAX相陶瓷粉体;将MAX相陶瓷粉体和HF的酸式盐晶体按照质量比2:(5~15)称量后加入到去离子水中,在30~85℃下进行刻蚀反应,再经清洗并干燥,得到所述二维晶体MXene纳米材料。本发明制备的MXene纳米材料具有明显的类石墨烯的二维层状结构,有望应用于超级电容器、锂离子电池、吸附等领域;本发明利用酸式盐对MAX相进行刻蚀处理,方法简单易行,安全可靠,易于大规模工业化推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 晶体 mxene 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二维晶体MXene纳米材料的制备方法,其特征在于,包括:将高纯三元层状MAX相陶瓷块体材料研磨后过筛,得到MAX相陶瓷粉体;将MAX相陶瓷粉体和HF的酸式盐晶体按照质量比2:(5~15)称量后加入到去离子水中,在30~85℃下进行刻蚀反应,再经清洗并干燥,得到所述二维晶体MXene纳米材料。
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