[发明专利]电力变换装置及驱动装置在审
| 申请号： | 201610534252.1 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106341051A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 近藤大介;立野孝治;刘畅;长田尚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H02M5/458 | 分类号： | H02M5/458;H02M1/088 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 高培培,车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种削减安装零件数量的电力变换装置及驱动装置。高边晶体管(TH)及低边晶体管(TL)分别具备EGE(发射极‑栅极‑发射极)型的构造。高边驱动器(HDV)具备以高边晶体管(TH)的发射极为基准而向栅极施加正电压VP1的上拉晶体管(UTh)；将栅极与发射极结合的下拉晶体管(DTh)。低边驱动器(LDV)具备以低边晶体管(TL)的发射极为基准而向栅极施加正电压VP2的上拉晶体管(UTl)；将栅极与发射极结合的下拉晶体管(DTl)。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 变换 装置 驱动 | ||
【主权项】：
一种电力变换装置，具有：高边晶体管，由IGBT构成；低边晶体管，由IGBT构成，且集电极与所述高边晶体管的发射极结合；高边驱动器，对所述高边晶体管进行驱动；及低边驱动器，对所述低边晶体管进行驱动，在所述电力变换装置中，所述高边晶体管及所述低边晶体管分别具备：第一沟槽栅电极，配置在有效单元区域内，且与栅极电连接；及第二沟槽栅电极及第三沟槽栅电极，在所述有效单元区域内分别空出间隔地配置在所述第一沟槽栅电极的两侧，且与发射极电连接，所述高边驱动器具备：第一上拉晶体管，以所述高边晶体管的发射极为基准而向栅极施加成为正电压的第一电压；及第一下拉晶体管，将所述高边晶体管的栅极与发射极结合，所述低边驱动器具备：第二上拉晶体管，以所述低边晶体管的发射极为基准而向栅极施加成为正电压的第二电压；及第二下拉晶体管，将所述低边晶体管的栅极与发射极结合。
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