[发明专利]形成多孔低-k结构的系统和方法有效
| 申请号： | 201610531827.4 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN106409654B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林伯俊;陈海清;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成多孔低‑k介电结构。在衬底上方形成多个导电元件。该导电元件通过多个开口彼此分隔开。在导电元件上方形成阻挡层。该阻挡层形成为覆盖开口的侧壁。对阻挡层实施处理工艺。在实施处理工艺之后，阻挡层变成亲水的。在已经实施处理工艺之后，在阻挡层上方形成介电材料。介电材料填充开口并且包含多个致孔剂。本发明的实施例还涉及形成多孔低‑k结构的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多孔 结构 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n多个导电元件，设置在所述衬底上方，其中，所述导电元件通过多个开口彼此分隔开；以及/n介电材料，设置在所述导电元件上方和所述导电元件之间，其中，所述介电材料包括：/n第一部分，设置在所述开口内；以及/n第二部分，设置在所述开口上方和所述导电元件上方；/n其中，所述介电材料包含多个多孔结构；/n所述第一部分的孔隙率大于所述第二部分的孔隙率；以及/n设置在所述介电材料的所述第一部分中的所述多孔结构的尺寸大于设置在所述介电材料的所述第二部分中的所述多孔结构的尺寸；/n阻挡层，设置在所述导电元件和所述介电材料之间，其中，所述阻挡层的表面具有亲水特性，具有所述亲水特性的所述阻挡层的表面围绕所述开口中具有所述多孔结构的所述第一部分的侧壁和底面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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