[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201610531514.9 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107634056B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李志成;黄昱豪;李凯霖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及形成半导体装置的形成方法，该半导体装置包含第一及第二掺杂阱、源极区、漏极区、二栅极结构以及掺杂区。第一掺杂阱，是设置在一基底内且具有第一导电型式，而源极区则是设置在第一掺杂阱内。第二掺杂阱是设置在该基底内且邻接第一掺杂阱，第二掺杂阱具有第二导电型式，而漏极区则是设置在第二掺杂阱内。二栅极结构是设置在该基底上并位于源极区与漏极区之间。掺杂区具有第一导电型式，并且其是设置在第二掺杂阱内并位于二栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包含：第一掺杂阱，设置在一基底内且具有第一导电型式；源极区，设置在该第一掺杂阱内；第二掺杂阱，设置在该基底内且邻接该第一掺杂阱，该第二掺杂阱具有第二导电型式；漏极区，设置在该第二掺杂阱内；二栅极结构，设置在该基底上并位于该源极区与该漏极区之间；以及至少一掺杂区，设置在该第二掺杂阱内并位于该二栅极结构之间，该掺杂区具有该第一导电型式。
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