[发明专利]用于磁隧道结器件的制造技术和相应的器件有效
| 申请号： | 201610530486.9 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106356448B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;王宏火芍;江典蔚;游文俊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 隧道 器件 制造 技术 相应 | ||
【主权项】：
一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，包括：底电极，具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分，其中，所述底电极的阶梯区域将所述中心的底电极部分和所述周围的底电极部分相互连接，以使所述中心部分的上表面相对于所述周围部分的上表面凹陷；磁隧道结(MTJ)，具有设置在所述中心的底电极部分上方且布置在所述阶梯区域之间的MTJ外侧壁；以及顶电极，设置在所述MTJ的上表面上方。
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