[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
申请号: | 201610526994.X | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106115607A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 闻永祥;季锋;刘琛;覃耀慰;张小丽 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 公开了一种MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括:基底;多晶埋层,位于所述基底上,所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形;牺牲层,位于所述多晶埋层上,所述牺牲层中具有空腔,所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内;运动质量块层,所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑,所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块,所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点;防粘附层,位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。本发明能够减小运动质量块与基底和/或多晶埋层之间的接触面积,以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力,可以有效地减少或防止粘连。 | ||
搜索关键词: | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS器件,其特征在于,包括:基底;多晶埋层,位于所述基底上,所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形;牺牲层,位于所述多晶埋层上,所述牺牲层中具有空腔,所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内;运动质量块层,所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑,所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块,所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点;其中,所述MEMS器件还包括:防粘附层,位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。
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