[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610516949.6 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328692B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈建颖;张家玮;廖家阳;杨柏峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构包括在衬底上方形成的鳍结构和横越在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括鳍结构之上的上部和鳍结构之下的下部。该上部具有第一宽度的顶面，该下部具有第二宽度的底面，并且第一宽度大于第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet 器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：鳍结构，形成在衬底上方；以及栅极结构，横越在所述鳍结构上方，其中，所述栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括所述鳍结构之上的上部和所述鳍结构之下的下部，所述上部具有第一宽度的顶面，并且所述下部具有第二宽度的底面，并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
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