[发明专利]双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法在审
申请号: | 201610516692.4 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN106098565A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 马红强;李述洲;徐向涛;张成方;王强;王兴龙 | 申请(专利权)人: | 重庆平伟实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495 |
代理公司: | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人: | 谭小容 |
地址: | 405200 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法,包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤,在步骤(3)中,采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点,将铝带的一端与芯片焊接;再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点,将铝带的另一端与芯片焊接;铝带除焊接点外,其余部位均向上拱起,铝带向上拱起的高度不超过420um;在步骤(4)中,塑封后,铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法,能够迅速将热量传导到器件表面,达到迅速散热从而保护产品的目的。 | ||
搜索关键词: | 双面 散热 引脚 扁平封装 功率 半导体器件 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法,包括以下步骤:步骤一、划片:形成带第一引脚的引线框架,以及独立的第二引脚;步骤二、软焊料上芯:将引线框架在高温轨道中加热,并通有氮氢混合保护气体,再通过高导热软焊料将芯片焊接在引线框架上方;步骤三、第二管脚与芯片的连接键合;步骤四、塑封:步骤五、去溢料:步骤六:电镀:步骤七:切筋分粒成型:步骤八:测试及包装;其特征在于:在步骤三中,选择铝带作为键合连接材料,采用焊接劈刀在芯片上压出与铝带宽度一致的长条形带有菱形花纹的焊接点,将铝带的一端与芯片焊接;再用焊接劈刀在第二管脚上压出与铝带宽度一致的长条形带有菱形花纹的焊接点,将铝带的另一端与芯片焊接;所述铝带除焊接点外,其余部位均向上拱起,拱起部位的顶部为平面,所述铝带在芯片正面形成第二散热面,与设置在芯片背面作为第一散热面的引线框架,共同构成双面散热结构,所述铝带向上拱起的高度不超过420um;在步骤四中,塑封后,铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um—200um,第一引脚和第二引脚靠近芯片的一端被塑封,另一端裸露在外,构成两排内嵌式引脚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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