[发明专利]激光退火装置及方法有效
申请号: | 201610516604.0 | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN107557871B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 崔国栋;马明英;朱树存;孙刚 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种激光退火装置及方法,该退火装置包括:所述激光光源分系统,被所述主机控制,生成并输出激光;所述温度监测分系统,监测硅片表面所述激光照射位置处的温度,并反馈至所述主机;所述光学分系统,被所述主机控制,对所述激光光源分系统输出的激光进行整形和传输,得到光强均匀分布的光斑;所述空间光强调制分系统,被所述主机控制对所述光学分系统出射的激光进行调制,使入射至所述硅片表面处的光斑的光强分布与所述硅片表面的反射率相对应,从而使得所述硅片表面各光斑位置处所吸收能量相一致,且该能量能够依据所监测的温度确定;所述主机依据所述温度监测分系统的反馈控制所述激光光源分系统、光学分系统和空间光强调制分系统。 | ||
搜索关键词: | 硅片表面 光学分系统 激光光源 主机控制 激光退火装置 光斑 温度监测 主机 激光 激光照射位置 反馈控制 光斑位置 光强调制 光强分布 光强均匀 输出激光 所述空间 退火装置 温度确定 吸收能量 反射率 空间光 监测 整形 出射 入射 调制 传输 反馈 输出 | ||
【主权项】:
1.一种激光退火装置,其特征在于:包括主机、激光光源分系统、光学分系统、空间光强调制分系统以及温度监测分系统,其中:所述激光光源分系统,被所述主机控制,生成并输出激光;所述温度监测分系统,监测硅片表面所述激光照射位置处的温度,并反馈至所述主机;所述光学分系统,被所述主机控制,对所述激光光源分系统输出的激光进行整形和传输,得到光强均匀分布的光斑;所述空间光强调制分系统,被所述主机控制对所述光学分系统出射的激光进行调制,使入射至所述硅片表面处的光斑的光强分布与所述硅片表面的反射率相对应,从而使得所述硅片表面各光斑位置处所吸收能量相一致,且该能量能够依据所监测的温度确定;所述主机依据所述温度监测分系统的反馈控制所述激光光源分系统、光学分系统和空间光强调制分系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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