[发明专利]绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板有效

专利信息
申请号: 201610513994.6 申请日: 2016-07-01
公开(公告)号: CN106129062B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 范德勇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/136
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板,其中绝缘层的制造方法包括步骤:在基板上沉积一绝缘层;对绝缘层进行曝光显影处理,在绝缘层形成第一开口和第二开口,其中第一开口位于绝缘层的第一区域,第二开口位于第二区域;通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理;对绝缘层进行高温退火处理。采用本发明的制造方法得到的绝缘层上第一开口处绝缘层不易出现流动变形问题。
搜索关键词: 绝缘 制造 方法 阵列
【主权项】:
1.一种绝缘层的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:在基板上沉积一绝缘层;对所述绝缘层进行曝光显影处理,在所述绝缘层形成第一开口和第二开口,其中所述第一开口位于所述绝缘层的第一区域,所述第二开口位于所述绝缘层的第二区域;所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角,所述第一区域位于显示区域,所述第二区域位于连接区域;通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理;对所述绝缘层进行高温退火处理。
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