[发明专利]绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板有效
| 申请号: | 201610513994.6 | 申请日: | 2016-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN106129062B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
| 发明(设计)人: | 范德勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/136 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明公开一种绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板,其中绝缘层的制造方法包括步骤:在基板上沉积一绝缘层;对绝缘层进行曝光显影处理,在绝缘层形成第一开口和第二开口,其中第一开口位于绝缘层的第一区域,第二开口位于第二区域;通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理;对绝缘层进行高温退火处理。采用本发明的制造方法得到的绝缘层上第一开口处绝缘层不易出现流动变形问题。 | ||
| 搜索关键词: | 绝缘 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种绝缘层的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:在基板上沉积一绝缘层;对所述绝缘层进行曝光显影处理,在所述绝缘层形成第一开口和第二开口,其中所述第一开口位于所述绝缘层的第一区域,所述第二开口位于所述绝缘层的第二区域;所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角,所述第一区域位于显示区域,所述第二区域位于连接区域;通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理;对所述绝缘层进行高温退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





